DIÉLECTRIQUES FERROÉLECTRIQUES INTÉGRÉS SUR SILICIUM

Auteur(s) DEFAZ EMMANUEL

Ce livre est dédié à l'intégration des matériaux diélectriques ferroélectriques dans la technologie silicium. Il s'agit principalement de matériaux issus de la famille des matériaux pérovskites qui présentent des propriétés électriques remarquables: permittivité diélectrique très élevée, effet mémoire (ferroélectricité), piézoélectricité, électrostriction.

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Description

Ce livre est dédié à l'intégration des matériaux diélectriques ferroélectriques dans la technologie silicium. Il s'agit principalement de matériaux issus de la famille des matériaux pérovskites qui présentent des propriétés électriques remarquables: permittivité diélectrique très élevée, effet mémoire (ferroélectricité), piézoélectricité, électrostriction. Bien que ces matériaux soient bien maîtrisés à l'état de céramique, les couches minces et notamment celles sur le silicium, le sont beaucoup moins. Ces dix dernières années ont vu une progression technologique sans précédent quant à l'intégration de ces matériaux diélectriques sur le silicium et notamment pour les microsystèmes. "Diélectriques ferroélectriques intégrés sur silicium" est ainsi dédié à la description de ces matériaux à travers un traitement thermodynamique particulièrement développé pour le cas des couches minces, les technologies mises en jeu pour arriver à les synthétiser, les caractérisations spécifiques utilisées et finalement, la description de plusieurs réalisations technologies abouties. Au sommaire: Chapitre 1. L'approche thermodynamique. Chapitre 2. Effet des contraintes sur les couches minces. Chapitre 3. Technologies de dépôts et mise en forme. Chapitre 4. Analyse par diffraction des rayons X de films minces polycristallins. Chapitre 5. Caractérisation physico-chimique et électrique. Chapitre 6. Caractérisation radio-fréquence. Chapitre 7. Courants de fuite dans les condensateurs PZT. Chapitre 8. Capacités intégrées. Chapitre 9. Fiabilité des condensateurs PZT. Chapitre 10. Capacités variables ferroélectriques. Chapitre 11. Mémoires ferroélectriques FRAM: principe, limitations, innovations et applications.

Renseignements sur l'ouvrage

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